本文中，作者在对ν-DABNA化合物进行氮杂䓬基团的修饰后实现了高效的超纯蓝光发射（Figure 1a），强给电子特性促使其LUMO能级降低（Figure 1b），波长发生移动。Az的给电子能力与咔唑（Cz）和二苯胺（DPA）基团相当（Figure 1c）。从三种基团的构象中也可以看出Az的HOMO-LUMO轨道可以发生有效的分离，从而也导致ν-DABNA化合物的波长蓝移了10 nm。同时，作者还证明了该材料的OLED器件具有良好的耐用性，进一步揭示了Az基团对器件稳定性能的影响机制。

（图片来源：Adv. Mater.）

Scheme 1. ν-DABNA-Azy衍生物的合成路线

（图片来源：Adv. Mater.）

ν-DABNA-Az1和ν-DABNA-Az2的合成遵循相同的序列，涉及逐步Buchwald-Hartwig胺化反应以引入Az部分，产生前体化合物1和2。随后进行一次性双硼化。

接下来，作者对1-wt%-ν-DABNA-Az掺杂的PMMA薄膜进行了光物理性能的测试（Figure 2）。ν-DABNA-Az衍生物的激发态特征与ν-DABNA类似，展现出窄带发射、相对较小的斯托克斯位移、ΔE_ST较小和大的k_RISC特征。对比之下，ν-DABNA-Az衍生物的光谱范围更偏向于蓝光区域，与理论结果相符合。所有ν-DABNA-Az衍生物的发射峰值位于458 nm，对比ν-DABNA的光谱有7 nm的蓝移。同时，该衍生物的半高峰宽小于20 nm，光致发光量子产率（PLQY）大于80%，77 K下的ΔE_ST小于20 meV。此外，ν-DABNA-Az衍生物的k_RISC与ν-DABNA相当。因此，引入Az基团的策略可以在不影响化合物光物理性能的前提下提高其色纯度。

最后，作者制备了基于Az衍生物的深蓝光OLEDs以研究其结构对器件电致发光性能的影响（Figure 3）。DOBNA-OAr作为一种主体材料具有相对较高的T₁水平和HOMO-LUMO水平，因而可以和ν-DABNA衍生物实现有效的电荷重组（Figure 3a）。相比于PMMA中的PL光谱，ν-DABNA-Az衍生物的EL光谱的发射峰值在458-459 nm，相比ν-DABNA具有明显的蓝移（Figure 3b）。另一方面，由于Az基团的位阻作用导致ν-DABNA-Az衍生物与DOBNA-Oar的相互作用较弱，主客体之间的能量传递并不完全，有利于使体系的波长蓝移并且光谱变窄。由于ν-DABNA-Az2的“空间保护”作用，其与DOBNA-Oar形成的相互作用更弱，因而展现出更好的EL光谱。如Figure 3c所示，ν-DABNA-Az1和ν-DABNA-Az2能够实现更高的色纯度，CIE坐标分别达到了（0.136,0.083）和（0.140，0.06）。此外，器件还表现出了优异的半导体性能，开启电压低至3.0 V，外量子效率超过30%（Figure 3d，e）。一般而言，主客体间的高掺杂浓度会使器件的效率滚降，因此低浓度下器件的色纯度会提高。作者证明了器件具有较高的电流效率（CE）和功率效率（PE），更有利于实现高性能深蓝光OLED（Figure 3f）。尽管相比于ν-DABNA，ν-DABNA-Az3的发射光谱发生了蓝移，但是两者的使用寿命相当（Figure 3g）。因此，本文中所制备的OLED的寿命与商用蓝光器件的寿命类似。采用Az修饰的ν-DABNA化合物表现出高PE、良好的使用寿命和色纯度（Figure 3h，i）。